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更新時(shí)間：2024-11-07 瀏覽量：113

產(chǎn)品描述：Redox.me雙槽銹蝕池一個(gè)水平安裝的雙槽電池，通常用于硅晶片的陽(yáng)極氧化，電解質(zhì)背面接觸。它由兩個(gè)聚醚醚酮 (PEEK) 氣密室組成，每個(gè)室都配有藍(lán)寶石晶片，作為照明窗口，允許光輔助多孔硅形成。它非常適合水性（FKM/EPDM O 形圈）和有機(jī)溶劑（FFKM O 形圈）電解質(zhì)要求。硅基板安裝在這些腔室之間，并在磁性安裝下用 O 形圈密封（可根據(jù)要求提供螺釘版本）。使用此電池只需一個(gè)簡(jiǎn)單的蝕刻步驟即可制備整個(gè)多孔硅基板，確保高重現(xiàn)性。

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主要產(chǎn)品
應(yīng)用行業(yè)

Redox.me雙槽銹蝕池一個(gè)水平安裝的雙槽電池，通常用于硅晶片的陽(yáng)極氧化，電解質(zhì)背面接觸。它由兩個(gè)聚醚醚酮 (PEEK) 氣密室組成，每個(gè)室都配有藍(lán)寶石晶片，作為照明窗口，允許光輔助多孔硅形成。它非常適合水性（FKM/EPDM O 形圈）和有機(jī)溶劑（FFKM O 形圈）電解質(zhì)要求。硅基板安裝在這些腔室之間，并在磁性安裝下用 O 形圈密封（可根據(jù)要求提供螺釘版本）。使用此電池只需一個(gè)簡(jiǎn)單的蝕刻步驟即可制備整個(gè)多孔硅基板，確保高重現(xiàn)性。

Redox.me雙槽銹蝕池應(yīng)用說明

雙槽蝕刻槽通常用于通過陽(yáng)極氧化制造多孔硅膜

多孔硅的形成過程通過在兩個(gè)鉑電極（不包括在內(nèi)）

之間施加電流以恒電流方式進(jìn)行。在此過程中，

可以通過外部燈（通常為鹵素?zé)艋?LED，不包括在內(nèi)）

照亮硅基板的一側(cè)或兩側(cè)。如果不需要照明，

可以安裝盲蓋。主要工藝參數(shù)是：電流密度和蝕刻時(shí)間。

在此槽中，無需在硅水上準(zhǔn)備額外的金屬接觸以確保電接觸。

其他應(yīng)用包括硅基板的電解拋光、電沉積和電化學(xué)表征。

Redox.me雙槽銹蝕池規(guī)格

標(biāo)稱曝光面積：1 cm ²（其他值可根據(jù)要求提供）
小電解液體積：2x10 mL
大電解液體積：2x15 mL
電極塞直徑：6 mm
建議硅晶片尺寸：25 mm x 25 mm

Redox.me雙槽銹蝕池Intrastat 數(shù)據(jù)
原產(chǎn)國(guó)：瑞典
凈重：300 克

產(chǎn)品包括
2 x 蓋子 – 0001CPEMA
2 x 腔室 – 0053CPEMAMM
2 x 窗口支架 – 0042PSSMA
2 x 藍(lán)寶石窗口 – 0054PSPCM
2 x 螺絲組 – 0032PNYCM
2 x 柱子 – 0031PSSMA
2 x 插頭 – 0005CPEMA